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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 200

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KRI 考夫曼离子源 RPICP 200


KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion Source

KRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有栅极离子源,离子能量范围 100~1000 eV,非常适合于典型的离子束辅助沉积和离子束刻蚀。特有的大面积束源和高密度使它能够满足一些极端的工艺并获得高的均匀性。因此 RFICP 200 被广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer的离子刻蚀系统。

KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 产品参数



Model

RFICP 200

Discharge

RF inductive

Filamentless

Yes

RF power

>0.5 kW

Ion optics

OptiBeamTM

Grids

Application specific

Alignment

Self-aligned

Neutralizer

Yes (options)

Power controller

RFICP ion Power Pack

Options


Beam Shape

Collimated, convergent, divergent

Water cooled

Yes

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上海伯东: 罗小姐                                   台湾伯东: 王小姐
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