上海伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO

KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO

KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源，能够产生高密度的离子束，特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束，因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化，使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求，因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。

KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source产品规格

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