ENTECH平板电容式反应离子刻蚀机RIE SI591

兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件；

Process flexibility工艺灵活性
反应离子刻蚀机 SI 591系列兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺。
Small footprint and high modularity设备小型化和高度模块化
Si591系列可设置为单腔系统或带盒式装片的多腔系统。
SENTECH control software SENTECH控制软件
控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理。

SI 591的真空装载片装置和完全由计算机控制工艺条件的软件系统，使其具优良的工艺重复性。灵活、模块化和小型化是SI591系统的设计特点，最 大能容纳200mm（8吋）的样品或载片盘。

SI591系统通过不同选件可实现穿墙安装或最小占地面积。

大观察窗位于上电极顶部，反应器能方便的容纳SENTECH激光干涉仪或者OES、RGA系统。用SENTECH椭偏仪可以在设备上通过椭偏仪端口进行在线工艺监控。
 
SI591系统沿承了RIE的平行板电极设计优势，刻蚀过程全部由计算机控制，可以进行多种材料的刻蚀。SENTECH还可提供多种自动化配置，从真空盒式装片到最多六个端口的沉积刻蚀多腔系统，用以提高设备的灵活性和产能。SI591也可以作为多腔系统的模块组成部分。

SI 591 compact
• RIE plasma etcher with small footprint
• Loadlock
• Halogen and fluorine chemistry
• For up to 200 mm wafers
• Diagnostic windows for laser interferometer and OES

SI591 Cluster
• Configurations of up to 6-port transfer chamber available
• Combination of RIE, ICP-RIE, and PECVD
• Manual vacuum loadlock or cassette station
• Cluster for R & D and high throughput
• SENTECH control software