卓立汉光Flex One 显微光致发光光谱仪

Flex One 显微光致发光光谱仪

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性能特点：

产品简介：
光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。
北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。

( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)

系统组成
● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器
● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路
● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器
● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台

参数规格表：

InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试

● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱 ● 测试条件：325nm激发，功率30mW ● 光谱范围：340-700nm

1. 光致发光(PL)光谱测量 分别针对材料的正极( 红色) 和负 极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线 如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近 以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。
2. 电致发光(EL)光谱测量 将材料的正负极接到直流电源的正 负极，电压加到2.5V 时可以有明显的 蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如 下（红色），峰值在475nm 附近。