砷化镓(GaAs)晶体基片

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入驻年限第9年

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详细介绍

产品名称：	砷化镓(GaAs)晶体基片
产品简介：
技术参数：	单晶：砷化镓(GaAs)掺杂:None；Si；Cr；Te；Zn导电类型：Si；N；Si；N；P载流子浓度cm-3：/>5x1017/~2x1018>5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸:LEC&HB?3"
常规尺寸：	常规晶向：<100>、常规尺寸：10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm; 抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A; 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
备注：	1000级超净室100级超净袋