湿法显影腐蚀机

一、湿法腐蚀机用途和特点：

1、用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。

二、湿法腐蚀机主要性能指标：

1.系统概述

1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；

1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；

1.3通信接口，蓝牙连接；

2.  基片及处理方式

2.1 基片尺寸满足直径300mm以内基底材料；

2.2 基片处理方式，手动上下载；

3. 控制系统

3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；

3.2 最大可存储20个程序段；

3.3 最大51 骤工艺步骤；

3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；

3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；

3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；

4. 试剂分配系统

4.1 化学试剂分配

4.1.1  A标准腔洗 Bowl Wash  1路纯水和1路氮气；

4.1.2  B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；

4.1.3  C 样片冲洗甩干 1路纯水和1路氮气；

4.1.4  D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；

4.2试剂供给方式

*4.2.1  A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；

4.2.2  B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；

4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；

三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）

光刻胶显影（KrF/ArF）

SU8厚胶显影

显影后清洗

PostCMP清洗

光罩去胶清洗

光刻胶去除

金属Lift-off处理

刻蚀微刻蚀处理