「FL 9BW 长曝光制冷CMOS相机」价格、参数、图片

产品介绍

FL 9BW 是鑫图针对长曝光应用开发的新一代深度制冷CMOS相机。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技术和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷CCD的水平，还同时具有现代CMOS高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以完全替代制冷CCD长曝光应用。

<0.0005 e-/p/s暗电流
可替代冷CCD长曝光应用

FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
背景均一
定量分析更JZ

FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光YZ能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片
综合成像性能优越

FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。

技术参数 >

型号:FL 9BW
芯片类型:BSI CMOS
芯片型号:SONY IMX533CLK-D
彩色 / 黑白:黑白
对角线尺寸:15.96 mm (1″)
有效面积:11.28 mm × 11.28 mm
像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
分辨率:3000 x 3000, 9 MP
峰值量子效率:92 % @ 540 nm
暗电流:< 0.0005 e-/p/s
增益模式:Gain 0 – 高满阱；Gain 1 – 平衡；Gain 2 – 高灵敏1；Gain 3 – 高灵敏2；
满阱容量:Gain 0：47ke- @ bin1，binning 后＞180ke-；
Gain 1：16ke- @ bin1，binning 后 > 64ke-；
Gain 2：8ke- @ bin1，14 bit binning 后 >32ke-；
Gain 3：3ke- @ bin1，14 bit binning 后 >12ke-；
读出模式:Standard，Low-Noise
读出噪声（标准读出）:3.2e- @ Gain 0；1.2 e- @ Gain 1； 1.0 e- @ Gain 2；0.95 e- @ Gain 3
读出噪声（低噪声读出）:2.5e- @ Gain 0；1.0 e- @ Gain 1； 0.9 e- @ Gain 2；0.85 e- @ Gain 3
帧率:19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
快门类型:卷帘
曝光时间:15 μs ~ 60 min
图像校正:DDFC，DPC
ROI:支持
Binning:2；3；4；6；8；12；16；24
制冷方式:风冷
制冷温度:-25 ℃ @ 室温（22℃）
触发模式:硬件，软件
软件:Mosaic, SamplePro, LabVIEW, MATLAB, Micromanager
触发输出:曝光开始，全局，读出结束，高电平，低电平
触发接口:Hirose
SDK:C，C++，C#
数据接口:USB 3.0
光学接口:C-Mount，支持定制
位深:14 bit, 16 bit
电源:12 V / 6 A
功耗:≤ 40 W
相机尺寸:76 mm x 76 mm x 98.5 mm
重量:835 g
操作系统:Windows / Linux
操作环境:工作：温度 0~40 °C, 湿度 10~85 %
储存：温度 -10~60 ℃, 湿度 0~85 %

FL 9BW 长曝光制冷CMOS相机

产品介绍

<0.0005 e-/p/s暗电流 可替代冷CCD长曝光应用

背景均一 定量分析更JZ

SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越

技术参数 >

<0.0005 e-/p/s暗电流
可替代冷CCD长曝光应用

背景均一
定量分析更JZ

SONY 背照式科学级芯片
综合成像性能优越