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μAMOS 红外共焦激光失效分析仪

滨松光子学商贸(中国)有限公司

企业性质生产商

入驻年限第9年

营业执照已审核
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红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪,使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下,使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且,通过使用大电流探针头,也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。

特性

  • 图像空间分辨率高

  • 背面观测(λ=1.3 μm)

  • 可观测高掺杂基底(Epi-sub)

  • 使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号,因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号

  • 可以测量4象限电压/电流

  • 可升级到微光显微镜(选配)

应用

  • 漏电流路径定位

    • IDDQ失效分析

  • 金属缺陷探测

    • 金属线缺陷探测(空,硅节)

    • 触控(过孔)异常阻抗部件探测

    • 金属化过程监控

*:IDDQ (Quiescent power supply current,静态供电电流):IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。

参数

产品名称uAMOS-1000
尺寸/重量主单元:1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg
控制台:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg
选配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg
线电压AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗约 3000W
真空度约80 kPa或更大
压缩空气0.5 MPa to 0.7 MPa

可用器件

晶片*前面切块后的芯片到300mm晶片
背面200/300 mm晶片(其他尺寸晶片可通过增加选配来处理)

*:与选用探针的规格有关

封装后IC前面芯片打开到表面的IC
背面镜面抛光到硅基底的IC

红外共焦激光显微镜


扫描速度(秒/图)
512×5121248
1024×102424816

激光*

1.3 μm激光二极管输出: 100 mW
1.3 μm高功率激光器(选配)输出: 超过400 mW
1.1 μm脉冲激光器(选配)输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse)

*: For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.

光平台移动范围*

X±20 mm
Y±20 mm
Z75 mm

*:由于探针或者样品平台的阻碍,该值肯会更小

透镜放大

一个转台可选透镜数达5个。

透镜数值孔径WD (mm)视场μAMOS-1000
1×: A7649-010.032013×13标配
2×: A80090.055346.5×6.5选配
M-PLAN-NIR-5×: A11315-010.1437.52.6×2.6标配
M-PLAN-NIR-20×: A11315-030.40200.65×0.65标配
M-PLAN-NIR-50×: A11315-040.42170.26×0.26选配
NIR 50×: A8756-0120.4218.30.26×0.26选配
High NA50×: A8018120.76120.26×0.26选配
M-PLAN-NIR-100×: A11315-050.50120.13×0.13标配
NIR 100×: A8756-0220.5013.30.13×0.13选配
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-0610.70100.13×0.13选配
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-08120.7060.13×0.13选配

1:用1来标记的镜头有两种可选

2:用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能

获取OBIRCH图像


电压固定型电流固定型微电流放大器
施加电压±10 mV to ±10 V±10 mV to ±10 V±10 mV to ±25 V
最大电流100 mA100 mA100 μA
探测率1 nA11 μV23 pA1

1:为输入放大器的最大可探测脉冲信号

2:计算值

外形图(单位:mm)



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