企业性质生产商
入驻年限第10年
Q值范围: | 2~1023 |
频率范围: | 70MHZ |
电容范围: | 1~460pF |
电容器纸介电常数测试仪Q值合格指示预置功能范围:5~1000Q值自动锁定,无需人工搜索
电容器纸介电常数测试仪Q表正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃b.相对湿度:<80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
维修保养
本测试装置是由精密机械构件组成的测微设备,所以在使用和保存时要避免振动和碰撞,要求在不含腐蚀气体和干燥的环境中使用和保存,不能自行拆装,否则其工作性能就不能保证,如测试夹具受到碰撞,或者作为定期检查,要检测以下几个指标:
1. 平板电容器二极片平行度不超过0.02mm。
2. 园筒电容器的轴和轴同心度误差不超过0.1mm。
3. 保证二个测微杆0.01mm分辨率。
4. 用精密电容测量仪(±0.01pF分辨率)测量园筒电容器,电容呈线性率,从0~20mm,每隔1mm测试一点,要求符合工作特性要求。
附表一,介质损耗测试系统主要性能参数一览表
BH916测试装置 GDAT高频Q表
平板电容极片 Φ50mm/Φ25.4mm 可选频率范围10KHz-70MHz
间距可调范围≥15mm 频率指示误差3×10-5±1个字
夹具插头间距25mm±0.01mm 主电容调节范围30-500/18-220pF
测微杆分辨率0.001mm 主调电容误差<1%或1pF
夹具损耗角正切值≦4×10-4 (1MHz) Q测试范围2~1023
附表二 电感组典型测试数据
技术参数:
1.Q值测量
2.a.Q值测量范围:2~1023。
3.b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
4.c.标称误差
5.频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):
6.固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%
7.工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%
8.2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH
9.3.电容测量:1~205
10.主电容调节范围:18~220pF
11.准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
12.注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
13.4. 信号源频率覆盖范围
14.频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
15.CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
16.5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。
17.6.B-测试仪正常工作条件
18.a. 环境温度:0℃~+40℃;
19.b.相对湿度:<80%;
20.c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
21.7.其他
22.a.消耗功率:约25W;
23.b.净重:约7kg;
24.c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
1 测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介质损耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介质损耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2 电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量成正比。在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U为测量电压 伏特(V)
ω为角频率 2pf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另仪的电流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另仪内阻约1500 欧姆(W)
R4桥臂R4电阻值3183 欧姆(W)
Cx被测试品电容值 皮法(pF)
3 电容量及介损显示精度:
电容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 损: ±0.5%tgdx±1×10-4
4 辅桥的技术特性:
工作电压±12V,50Hz
输入阻抗>1012 W
输出阻抗>0.6 W
放大倍数>0.99
不失真跟踪电压 0~12V(有效值)
5 指另装置的技术特性:
工作电压±12V
在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V/格, 电流灵敏度不低于2X10-9A/格
二次谐波 减不小于25db
三次谐波 减不小于50db
特点:优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度
作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器,测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低,彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。
标准配置:高配Q表 一只 试验电极 一只 (c类)电感 一套(9只)电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份
为什么介电常数越大,绝缘能力越强?因为物质的介电常数和频率相关,通常称为介电系数。
介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说,介电常数越大,绝缘性能就越好。
注:这个性质不是成立的。
对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。
但对于两个绝缘体就不一定了。
介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。
补充:电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料,和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质,并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质,其相对介电常数约为80。
对于时变电磁场,物质的介电常数和频率相关,通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响,而同一种介质的影响是相同的,介质不同,介电常数不同
介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。
概念:
电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。
形式
各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的,所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式:
1)漏导损耗
实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。
2)极化损耗
在介质发生缓慢极化时(松弛极化、空间电荷极化等),带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。
一些介质在电场极化时也会产生损耗,这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10-16~10-12s),这在无线电频率(5×1012Hz 以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10-10s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。
若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。
电离损耗
电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。
结构损耗
在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。
试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。