企业性质生产商
入驻年限第3年
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对SiC功率器件测试机感兴趣,欢迎随时联系我们!
系统特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
可定制夹具;
nA级电流和uΩ级电阻测量;
“双高”系统优势
高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)
具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)
高精度测量
nA级漏电流, μΩ级导通电阻
0.1%精度测量
模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元
测试效率高
内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的一键测试
扩展性好
支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等