赛默飞世尔 电气故障分析系统 Hyperion II 系统

产品介绍：

Thermo Scientific Hyperion II 系统可带来快速、准确的晶体管探测电性表征和故障定位功能，为半导体技术发展、良率提升以及器件可靠性的改善提供有力的支持。Hyperion II 系统卓 越的稳定性可将纳米探测带入低至 5 nm 及以下的技术节点。 

Hyperion II 系统的 SPM 技术支持 PicoCurrent 成像，该技术可快速识别短路、开路、漏电路径和电阻触点，其灵敏度比被动式电压对比度高 1,000 倍以上。扫描电容显微镜检查 (SCM) 模块提供基于图像的绝缘体上硅 (SOI) 晶片故障定位，以及高分辨率掺杂剂谱图分析。

PicoCurrent 图像（左）指示可疑晶体管，而 I-V 曲线（右）验证异常电性。      

电流-电压 (I-V) 测量

探测目标区域内的多个晶体管以定位故障是一项耗时的工作。Hyperion II 系统结合了 I-V 探测的 PicoCurrent 成像功能，可快速找到潜在缺陷，并测量电流-电压曲线，不会引入测量相关偏移。

C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。

电容电压 (C-V) 测量

C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。

脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对器件进行高速测试，上升时间短于 2 纳秒。

脉冲 I-V 测量

脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对器件进行高速测试，上升时间短于 2 纳秒。