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| 电子枪: | 钨灯丝 |
追求理想的三维结构分析
通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察，采集一系列连续截面图像，并重构特定微区的三维结构。
采用理想的镜筒布局，从先进材料、先进设备到生物组织——在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。
SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，形成三维结构分析理想的镜筒布局
融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统，从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品
通过选配口碑良好的Micro-sampling®系统*和Triple Beam®系统*，可支持制作高品质TEM及原子探针样品
垂直入射截面SEM观察可忠实反映原始样品结构
SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，实现FIB加工截面的垂直入射SEM观察。
旧型FIB-SEM采用倾斜截面观察方式，必定导致截面SEM图像变形及采集连续图像时偏离视野，直角型结构可避免出现此类问题。
通过稳定获得忠实反映原始结构的图像，实现高精度三维结构分析。
同时，FIB加工截面（SEM观察截面）与样品表面平行，有利于与光学显微镜图像等数据建立链接。
样品：小白鼠脑神经细胞
样品来源：自然科学研究机构/生理学研究所 窪田芳之 先生
Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各种材料
从生物组织及半导体到钢铁及镍等磁性材料——支持低加速电压下的高分辨率和高对比度观察。
FIB加工与SEM观察之间切换时，不需要重新设定条件，可高效率的采集截面的连续图像
样品：镍
SEM加速电压：1 kV
加工间距：20 nm
重复次数：675次
不仅支持截面SEM图像，也支持连续采集一系列截面的元素分布图像。
通过选配硅漂移式大立体角EDS检测器*1，可缩短测定时间以及可在低加速电压下采集元素分布图像。
样品：燃料电池电极
SEM加速电压：5 kV
加工间距：100 nm
重复次数：212次
样品来源：东京大学 生产技术研究所 鹿园直毅 教授
以理想的方式配置SEM/FIB/EBSD检测器*1，在FIB加工与EBSD分析之间无需移动样品台即可实现3D-EBSD。
因为无需移动样品台，所以可大幅提高三维晶体取向分析的精度和效率。
样品：镍
SEM加速电压：20 kV
加工间距：150 nm
重复次数：150次
*1选配
规格
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| SEM | 电子源 | 冷场场发射型 |
| 加速电压 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 离子源 | 镓 |
| 加速电压 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| zui大束流 | 100 nA | |
| 标准探测器 | In-colum二次电子探测器/In-colum背散射电子探测器/ 样品室二次电子探测器 | |
| 样品台 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| zui大样品尺寸 | 正方形边长6 mm × 厚度2 mm | |
*2根据样品座不同，行程不同
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