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入驻年限第10年
| 1、晶体生长 真空感应加热晶体生长炉（ 2000 -2400℃） · 顶部籽晶溶液生长 |    |
| 2、单晶定向 用于测定单晶材料的表面缺陷。单片机系统采集的实时数据传送给计算机分析系统进行数据处理进而得到峰位角和半峰宽（FWHW）值，以此判断晶面表面是生长的完整性。 |  |
| 3、晶棒裁切与检测 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 可根据实际尺寸选用STX系列金刚石线切割机 |   |
| 4、外径研磨 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 可选用STX-100QX金刚石曲线切割机进行修复，切割出完整的晶棒 |    |
| 5、 切片 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用STX系列金刚石线切割机将晶棒切割成一片片薄片。 可根据实际尺寸选用合适的STX系列金刚石线切割机 |  |
| 6. 研磨/抛光 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 再对晶片的表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得JJ的表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。 可选用UNIPOL-1203化学机械磨抛机，ZD可放置6英寸的基片 配合滴料器和GPC系列磨抛控制仪，可实时检测磨削量，计算控制晶圆ZZ厚度 |    |
| 7、清洗 将加工完成的晶片进行ZH的彻底清洗、风干。 可选用超声波/等离子/臭氧清洗 |    |
| 晶圆处理工序 ①蚀刻 |  |
| 晶圆处理工序 ②涂膜 |  |
| 晶圆处理工序 ③镀金属膜+切割 切割可根据应用选择切割机 划片可使用SYJ-400/800/1610划片切割机 |  |
| 8、检验 进行ZZ全面的检验以保证产品ZZ达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。 | （TR100袖珍式表面粗糙度仪） |
| 9、包装 将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，运输。 我司包含各种尺寸的晶圆盒可供选择 |    |
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