企业性质生产商
入驻年限第3年
型号 | DU920P | DU920P-Bx-DD | DU940P |
芯片类型 | BV:背感光,可见波段优化 BU:背感光,紫外增强350nm 优化 BU2:背感光,紫外增强250nm 优化 BVF:背感光,可见光波段优化以及消除近红外etalon 镀膜 OE:开放电极 | BR-DD:背感光深耗尽CCD。带有消除近红外波段的etalon 镀膜 BEX2-DD:背感光深耗尽CCD。带有消除近红外波段的etalon 镀膜以及波段扩展双层抗反射膜 | FI:前感光CCD UV :前感光,UV 镀膜 BV:背感光,可见波段优化 BU:背感光,紫外增强350nm 优化 BU2:背感光,紫外增强250nm 优化 |
有效像素 | 1024×256 | 2048×512 | |
像元尺寸 | 26μm×26μm | 13.5μm×13.5μm | |
探测面尺寸 | 26.6 mm×6.7 mm | 26.6 mm×6.9 mm | |
ZD光谱采集速度 | 273(Full Vertical Binning)、1612(Crop Mode 20 rows) 144(OE,Full Vertical Binning)、1149(OE,Crop Mode 20 rows) | 272(Full Vertical Binning) 1587(Crop Mode 20 rows) | 122 (Full Vertical Bin), 943 (Crop Mode - 20 rows) |
线性度 | >99% | ||
最小读出噪声 | <4e- | < 2.5e- | |
暗电流 | FI, OE, UV:0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BU, BU2,:0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BV, UVB:0.0003 e- /pixel/sec @-100℃ BVF:0.0002@-100℃ | Bx-DD:0.003 e- /pixel/sec @-100℃ | FI, OE, UV:0.0001 e-/pixel/sec @-100℃ BU, BU2, BV, UVB:0.0002 e-/pixel/sec @-100℃ |
ZD制冷温度 | -100℃ | ||
光窗类型 | 单石英窗口,无镀膜,防反射镀膜或MgF2 可选 | BR-DD:单石英窗口, 防反射镀膜(900nm 优化) BEX2-DD:单石英窗口,无镀膜 | 单石英窗口,无镀膜,防反射镀膜或MgF2 可选 |