ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500

ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500

SI 500是高刻蚀速率、低损伤刻蚀设备，特别针对III-V半导体和微光学应用

主要特点:

高速率刻蚀

低损伤 

高深宽比

高一致性

平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna

远程控制

应用领域：III-V半导体化合物，微光学，微系统

SENTECH高级等离子设备操作软件

穿墙式安装方式

干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统

系统配置:

PTSA ICP等离子源 (13.56 MHz, 1200 W)，集成自动匹配网络。

RF偏置(13.56 MHz, 600 W)

循环进气，集成到PTSA源内

高速率真空泵系统，独立气流压强控制

预真空锁loadlock， 带有取放机械手

绝缘、冷却和加热电极(-30ºC up to 250ºC)，6" 基底或6" 托架(支持2", 3", 4" 晶圆,小片样品)

He背部冷却，机械钳

动态温度控制 

远程控制

PC (Windows XP)

SENTECH高级等离子设备操作软件

特性:

全自动/手动过程控制

Recipe控制刻蚀过程

智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。

多用户权限设置

数据资料记录

LAN网络接口

Windows NT 操作软件

选项:

增加气路

PTSA源石英窗口

在线监测窗口，穿过PTSA源

循环冷却器，用于下电极温度控制(-30ºC to 80ºC)

高密度等离子体磁性衬板