混合电子气体

1、外延（生长）混合气

在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或 多层材料所用的气体叫做外延气体。常用的硅外延气 体有二氯二氢硅、四氯 化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，氧化硅膜淀积，氮化硅膜 淀积，太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积等。外延生长 是一种单晶材 料淀积并生长在衬底表面上的过程。

2、化学气相淀积（CVD）混合气

化学气相淀积(CVD)用混合气 CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应沉 积某种单质或化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据 成膜种类，使用的化学气相淀积(CVD)气体也不相同。

3、参杂混合气

在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质入半导体材料内，使材料具 有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。 掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五 氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气 体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四 周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

4、蚀刻混合气

蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等)蚀刻掉， 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，以便在基片表面上获得所需要的成像图形。 蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气 体。蚀刻气体通常多为氟化物气体(卤化物类)，例如四氟化碳、三氟化氮、三 氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

5、零级空气

零级空气是一种常见的气体混合物，它的主要成分由氧和氮组成。零级空气中 一般要求总烃含量小于2X10-6、水分含量小于5X10-6.12。零级空气可采用不同 的方法脱除干燥空气中的二氧化碳和其他痕量杂质(如烃类、水分、氮氧化合物 等)获得。 零级空气也可采用高纯氮和高纯氧按规定的比例O2／N2：20／80配制而 成。零级空气主要用作气敏色谱仪载气或氢火焰离子化色谱仪的助燃气；用于 配制标准 混合气；也可用来校准分析仪器的零点，其中所含的待测成分和对测 定有影响的干扰物质的总量应低于仪器指示满刻度的0.1％以下。