膜去溶进样ICP-MS法测定电子级高纯盐酸中痕量金属杂质

摘要：
用ZOb光谱法测定电子级高纯盐酸中的痕量金属杂质需将样片进行富集处理，这不但耗费时间而且增加了样品的污染机会如果样品不富集ZOb光谱的检出限又无法满足电子级高纯盐酸的测定要求用OWKyO膜去溶进样器，高纯盐酸不需任何处理可直接进样，进样时高纯盐酸基本不在膜去溶内挥发掉难挥发的金属杂质进入ZOblTQ进行检测因此可消除基本干扰，提高高纯盐酸分析的灵敏度同时膜去溶具有进样速度快，进样量少的有点，可节省测试时间，提GX率 莱伯泰科Aridus II膜去溶雾化系统